米兰·(milan)-三星电子P5工厂将加快扩建 以扩大HBM的先进DRAM产能

【CNMO科技动静】5月8日，CNMO科技从外媒获悉，三星电子已经于上月完成平泽P5工场第一阶段体系密封工程的装备数目审核，估计下半年将正式进入主体施工阶段。P5工场将根据多个阶段挨次设置装备摆设，这次进展较此前预期提早约半年。

三星电子平泽区域俯瞰图

据相识，体系密封工程是为构建半导体系体例造所需的干净室，于天花板布局上安装过滤器、照明、面板等装备的工序。其干净室经由过程节制温度、湿度、压力等情况参数，将干净度维持于极高水准，是避免制造缺陷的须要空间，也是工场设置装备摆设中最早启动的环节。

P5工场计划设置装备摆设6个干净室，共3层布局。其空间范围约为拥有4个干净室、2层布局的P4工场的1.5倍。业界估计，P5与规划2028年后开工的P6工场合计产能，将到达现有P1至P4四座工场的总及程度。P5估计在2028年正式投产，可能设计为可同时容纳DRAM、NAND及代工出产线的混淆多厂情势。

三星电子规划将P5第一阶段设置装备摆设为1c纳米尖端DRAM专用出产线。1c纳米工艺的电线路宽约为11至12纳米，比拟上一代1b纳米工艺，于能效及集成度方面均有晋升。三星电子将1c纳米技能率先运用在第六代HBM4的焦点芯片，以实现差异化竞争力。据三星先容，基在1c纳米工艺的HBM4实现了11.7Gbps的传输速率，较国际半导体尺度构造JEDEC划定的8Gbps尺度晋升约46%，最高可达13Gbps，满意英伟达等重要客户提出的11Gbps以上机能要求。

三星电子内存战略营销室副社长金于俊于近期财报德律风集会上暗示，公司HBM发卖额估计同比增加跨越3倍，1c纳米等开始进工艺确保了产物竞争力。他指出，HBM4的机能规格晋升由三星主导，客户采用其产物后，卓着机能已经转化为现实溢价。

三星电子规划于下一代HBM4E中也采用1c纳米焦点芯片。HBM4E方针实现每一引脚16Gbps速率及4.0TB/s带宽，估计在第二季度向重要客户提供首批样品。为巩固HBM市场主导职位地方，三星电子正加快1c纳米产能扩张。一样作为1c纳米出产线的P4第四阶段及第二阶段的干净室设置装备摆设已经靠近尾声，估计下半年起重要前工序装备将陆续搬入。

半导体行业相干人士暗示，平泽P4第四阶段及第二阶段的干净室装备搬入已经基本进入扫尾阶段，P5工场估计下半年正式启动施工。

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